深入解析 Apple iPhone 11 的内部存储技术
iPhone 11 是 Apple 在 2019 年推出的主力机型,除了 A13 仿生芯片和双摄系统外,其内部存储(即“闪存”)也备受关注。本文将详细介绍 iPhone 11 所采用的闪存类型、性能表现及其与其他设备的对比。
iPhone 11 并未使用常见的 eMMC 或 UFS(广泛用于安卓设备)闪存标准,而是采用了基于 PCIe/NVMe 协议的定制 NAND 闪存方案。这种设计直接集成在主板上,并通过 Apple 自研的控制器进行管理。
具体来说:
根据多家第三方测试(如 Geekbench Storage Test、Blackmagic Disk Speed Test),iPhone 11 的顺序读取速度可达 约 1.7 GB/s,写入速度约为 1.0–1.2 GB/s。这一性能远超同期采用 UFS 2.1 的安卓旗舰(通常读取 800–900 MB/s)。
优势包括:
虽然安卓阵营普遍标注“UFS 3.0”或“UFS 3.1”,但 Apple 的 NVMe 方案在实际体验中往往更优,原因在于:
因此,单纯比较“UFS”或“NVMe”标签并不完全反映真实体验,Apple 的封闭生态反而成为性能优势。